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“供应温补晶振”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | 3C |
| 振荡激励方式： | 自激 | 电路结构： | 晶体 |
| 输出波形： | 正弦波 | 应用： | 电子工业 |
| 类型： | 晶体 | 型号： | ractron |
| 5070： | 5032 | 产量： | 100 |
“供应温补晶振”详细介绍
简单介绍
温补晶振即温度补偿晶体振荡器（TCXO），是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段, 主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果，传统的温补晶振TCXO 是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿大温补晶振TCXO开始出现DTCXO.
温补晶振的详细介绍
温补晶振即温度补偿晶体振荡器（TCXO），是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段, 主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果，传统的温补晶振TCXO 是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿大温补晶振TCXO 开始出现,这种数字化补偿的温补晶振TCXO 又叫 DTCXO,用单片 机 进行补偿时我们称之为 MCXO,由于采用了数字化技术,这一类型的晶振再温 度特性上达到了很高的精度,并且能够适应更宽的工作温度范围。 温补晶振中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型 （1）直接补偿型 直接补偿型温补晶振TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路，在振荡器中与石英晶体振子串联而成的。在温度变化时，热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化，从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿方式电路简单，成本较低，节省印制电路板（PCB）尺寸和空间，适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1pmm时，直接补偿方式并不适宜。 （2）间接补偿型 间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度－电压变换电路，并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）变换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。
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温补晶振 | DIP8 | TCXO | VC-TCXO |
| 一温补晶振 | 技术规格 | 12.7X12.7MM |
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| 指标参数 |
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参数值 |
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频率范围 | 1-200MHZ |
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可定制 |
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输出波形 | Sine | TTL | HCMOS |
| 输出 | 输出幅度 | 0-7dBm | 标准定制 | 标准定制 |
| 特性 | 输出负载 | 50Ω | 15pF | 15pF |
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谐波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% |
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杂散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc |
| 频率 | 温度特性 | ±0.5-2.0ppm |
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@25℃ |
| 稳定 | 年老化 | ±0.5-1.0ppm |
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| 性 | 负载特性 | ±0.05ppm Max |
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Loa±10% |
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电源特性 | ±0.05ppm Max |
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相位噪声 |
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@10Hz | ≤-120dBc/Hz |
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@100Hz | ≤-135dBc/Hz |
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@1KHz | ≤-140dBc/Hz |
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@10MHz |
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@10KHz | ≤-145dBc/Hz |
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@100KHz | ≤-145dBc/Hz |
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| 频率 | 调节方式 | 电压调节 | 机械微调 | NC不带 |
| 调节 | 压控电压范围 | 按照客户要求 |
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电压调节 |
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频率调节范围 | ±2-±8ppm |
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可定制 |
| 电源 | 工作电压 | 3.3V / 5V |
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| 输入 | 工作电流 | 15mA Max |
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@10MHz |
| 储存温度 |
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-55 ﹢125 ℃ |
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| 二温补晶振 | 温度稳定性 |
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| 工作温度 | ±0.5ppm | ±1.0ppm | ±1.5ppm | ±2.0ppm |
| -20 ﹢60 ℃ | O | O | O | O |
| -30 ﹢70 ℃ | O | O | O | O |
| -40 ﹢85 ℃ | O | O | O | O |
