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“三联苯分析专用气相色谱仪GC-2010”参数说明
| 射线种类： | X射线能谱仪 | 色谱仪类型： | 气相色谱仪 |
| 气路系统： | 三路 | 检测器： | FID |
| 能谱仪探测器： | Si(Li) | 能量分辨率： | ≤7% |
“三联苯分析专用气相色谱仪GC-2010”详细介绍
工业联苯质量分析，国内一直采用物理方法，如测熔点？残炭？苯溶解试验等；以色一质联用作了定性分析，用内这些方法不能准确反映联苯纯度及杂质成分。联苯产品已大量销售国外。目前国际上对联苯质量要求已有含量指标。为了保证出口产品的质量，需建立相应的测试方法，以适应产品出口的需要。
仪器配置及试剂：
仪器 Gc-2010气相色谱仪（FID＋毛细管系统＋填充柱进样＋智能后开门＋五级程升） 1台
色谱柱
毛细管柱（30 m×0.32mm）
1支
数据处理 色谱工作站 1套
外部气源 空气、氮气、氢气钢瓶或发生器 1套
电脑 品牌电脑xp系统 1台
色谱分析条件：
柱温3 4一3 3 4℃，速率Β℃汽化室温度220℃检侧室温度230
在选定色谱柱、温度、载气流速的条件下，通过调节分流比可有效地改善分离效果。本分析方法已在某厂使用了数年，并对出口产品进行监测，经应用表明本方法是可靠的。
GC-2010气相色谱仪特点：
1.性能价格比高，完整的双气路设计：可同时安装FID、TCD、FPD或 FID、TCD、ECD三个检测器，仪器可同时安装一根填充柱和一付毛细管柱，双毛细管双放大器等类型任选。五种检测器及甲烷转化炉任选，陶瓷或石英喷嘴任选。
2.采用全新双CPU设计、原装日本高集成的电子电路技术，优良的可靠性及抗干扰能力，控温的精度达到0.1℃，显示精度更高达0.01℃，并且可同时显示各加热部位的功率耗用百分比。六路温度超浊自动报警及断气自动停电保护功能。
3.计算机全控，数字通讯；大屏幕液晶LCD显示；菜单式操作；阶程序升温系统；自动后开门快速降温；近室温操作；6路温度控制；故障自诊断超温保护，10个文件存储、秒表计时、超温保护等功能齐全
4.检测器采用单元化设计，具有灵敏度高、噪声低、重复性好、线性范围宽等特点。
5.可配置各种口径的填充柱，柱头进样、内衬进样，毛细管分流/不分流进样。
检测器主要技术指标
氢火焰离子化检测器（FID）
（1）圆筒型收集极结构设计，石英喷嘴，响应极高
（2）检测限：≤8×10g/s（正十六烷/异辛烷）
（3）基线噪声：≤2×10A
（4）基线漂移：≤2×10A/30min
（5）线性：≥10
热导检测器（TCD）
（1）采用半扩散式结构
（2）电源采用恒流控制方式
（3）灵敏度：≥2500mV？ml/mg（正十六烷/异辛烷）。
（4）基线噪声：≤20μV.
（5）基线漂移：≤100μV/30min.
仪器配置及试剂：
仪器 Gc-2010气相色谱仪（FID＋毛细管系统＋填充柱进样＋智能后开门＋五级程升） 1台
色谱柱
毛细管柱（30 m×0.32mm）
1支
数据处理 色谱工作站 1套
外部气源 空气、氮气、氢气钢瓶或发生器 1套
电脑 品牌电脑xp系统 1台
色谱分析条件：
柱温3 4一3 3 4℃，速率Β℃汽化室温度220℃检侧室温度230
在选定色谱柱、温度、载气流速的条件下，通过调节分流比可有效地改善分离效果。本分析方法已在某厂使用了数年，并对出口产品进行监测，经应用表明本方法是可靠的。
GC-2010气相色谱仪特点：
1.性能价格比高，完整的双气路设计：可同时安装FID、TCD、FPD或 FID、TCD、ECD三个检测器，仪器可同时安装一根填充柱和一付毛细管柱，双毛细管双放大器等类型任选。五种检测器及甲烷转化炉任选，陶瓷或石英喷嘴任选。
2.采用全新双CPU设计、原装日本高集成的电子电路技术，优良的可靠性及抗干扰能力，控温的精度达到0.1℃，显示精度更高达0.01℃，并且可同时显示各加热部位的功率耗用百分比。六路温度超浊自动报警及断气自动停电保护功能。
3.计算机全控，数字通讯；大屏幕液晶LCD显示；菜单式操作；阶程序升温系统；自动后开门快速降温；近室温操作；6路温度控制；故障自诊断超温保护，10个文件存储、秒表计时、超温保护等功能齐全
4.检测器采用单元化设计，具有灵敏度高、噪声低、重复性好、线性范围宽等特点。
5.可配置各种口径的填充柱，柱头进样、内衬进样，毛细管分流/不分流进样。
检测器主要技术指标
氢火焰离子化检测器（FID）
（1）圆筒型收集极结构设计，石英喷嘴，响应极高
（2）检测限：≤8×10g/s（正十六烷/异辛烷）
（3）基线噪声：≤2×10A
（4）基线漂移：≤2×10A/30min
（5）线性：≥10
热导检测器（TCD）
（1）采用半扩散式结构
（2）电源采用恒流控制方式
（3）灵敏度：≥2500mV？ml/mg（正十六烷/异辛烷）。
（4）基线噪声：≤20μV.
（5）基线漂移：≤100μV/30min.
