“日本AE·MIC品牌 AE-365E高精度电容测试仪”参数说明
元器件种类: | 电子元件测试仪 | 型号: | Ae-365e |
规格: | 电容测试仪 | 商标: | 日本ae·mic |
包装: | 纸箱 | 产量: | 1000 |
“日本AE·MIC品牌 AE-365E高精度电容测试仪”详细介绍
特点
■超高速:1 msec.[TYP][计测中时间]
■对 2 pF/20 pF 范围 5 V 测量微小电容量的稳定性大幅提高
■测量值异常检知从2端子(4端子)测量时探针的接触不良查出
■4端子接触检查三种模式选择:测量前/测量后/OFF(不接触)■测量频率:1kHz/120Hz±0.1%(正弦波形)
■能切换串联等效电路/并联等效电路
■定电压测量(一部分的范围非对应)
■能 tanσ测量(2pF 范围非对应)
■3 1/2位(1999)数位显示、内建比较器功能、HI/GO/LO 输出■RS-232C 介面,印表机输出(符合 Centronics)做为标准配备
[GP-IB 选购]
■间歇输入测量电流以减轻探测接触的磨损(120μF/1.2mF范围)
■测量时可列印输出:测量值,σ,3σ,max,min,
日期,时间。。等数据
选购
■GP-IB 介面[[如果选择 GP-IB,则无法安装 RS-232C]
测量方式: 3/5端子测量方式[能每范围选择]
测量频率: 120Hz/1kHz±0.1%,正弦波形
测量信号输出电阻: 约 1Ω
杂散电容补正范围: 约 30pF
满量程及零温度系数: ±10ppm/℃以内
测试时间: 【空转周期】FAST:约 1~5次/秒 SLOW:FAS T×N(N:平均值设定回数)【测量中信号[FAST]】1msec.[最速时]
比较器设定范围: 电容:HI/LO 皆为 1999[120μF/1.2mF 范围 HI/LO 皆为199]tanδ:99.9%
使用周围环境: 温度:0℃~+50℃湿度:85%以下
电源: AC 85V~265V,50~60Hz,约 50VA
外型尺寸: 3(W)x 99(H)x 30(D)mm(不包含外部突起物如垫脚等)
重量: 约 4kg
■超高速:1 msec.[TYP][计测中时间]
■对 2 pF/20 pF 范围 5 V 测量微小电容量的稳定性大幅提高
■测量值异常检知从2端子(4端子)测量时探针的接触不良查出
■4端子接触检查三种模式选择:测量前/测量后/OFF(不接触)■测量频率:1kHz/120Hz±0.1%(正弦波形)
■能切换串联等效电路/并联等效电路
■定电压测量(一部分的范围非对应)
■能 tanσ测量(2pF 范围非对应)
■3 1/2位(1999)数位显示、内建比较器功能、HI/GO/LO 输出■RS-232C 介面,印表机输出(符合 Centronics)做为标准配备
[GP-IB 选购]
■间歇输入测量电流以减轻探测接触的磨损(120μF/1.2mF范围)
■测量时可列印输出:测量值,σ,3σ,max,min,
日期,时间。。等数据
选购
■GP-IB 介面[[如果选择 GP-IB,则无法安装 RS-232C]
测量方式: 3/5端子测量方式[能每范围选择]
测量频率: 120Hz/1kHz±0.1%,正弦波形
测量信号输出电阻: 约 1Ω
杂散电容补正范围: 约 30pF
满量程及零温度系数: ±10ppm/℃以内
测试时间: 【空转周期】FAST:约 1~5次/秒 SLOW:FAS T×N(N:平均值设定回数)【测量中信号[FAST]】1msec.[最速时]
比较器设定范围: 电容:HI/LO 皆为 1999[120μF/1.2mF 范围 HI/LO 皆为199]tanδ:99.9%
使用周围环境: 温度:0℃~+50℃湿度:85%以下
电源: AC 85V~265V,50~60Hz,约 50VA
外型尺寸: 3(W)x 99(H)x 30(D)mm(不包含外部突起物如垫脚等)
重量: 约 4kg