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紧咬台积电不放 格罗方德后年量产14nm

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-02-08 浏览次数:126
  格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)将于2014年量产14奈米(nm)方案。为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机,GLOBALFOUNDRIES将率先导入三维鳍式电晶体(3D FinFET)架构于14nm制程产品中,预计明年客户即可开始投片,后年则可望大量生产。
  
  GLOBALFOUNDRIES全球行销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示,随着行动装置功能日益丰富,消费者对于电池使用寿命的要求亦日趋严苛,促使半导体制程技术须持续向上精进,以利优化系统单晶片(SoC)的效能。为实现此一愿景,在新一代14nm制程技术中采用3D FinFET架构,可将电流泄漏减到最低,延长电池使用寿命。
  
  Noonen进一步指出,相较于现今2D平面式电晶体,3D FinFET藉由将导电通路设计于两侧,形成可控制电流流动的闸极环绕的3D鳍状架构,可为行动装置提升40~60%电池使用寿命,再加上14nm制程技术的助力,即可轻松解决行动装置电池电力消耗过快的棘手挑战。
  
  有鉴于此,GLOBALFOUNDRIES下一代制程技术--14nm-XM即采用3D FinFET架构,并可运用该公司即将量产的20nm-LPM制程技术的矽智财(IP),让想利用FinFET SoC优势的IC设计商能以最快的速度从20nm无缝转移至14nm。
  
  据了解,目前GLOBALFOUNDRIES已快马加鞭展开14nm-XM技术研发工作,除开始提供制程设计套件(PDK)外,矽晶片也已在纽约萨拉托加郡的晶圆八厂进行测试中,明年将可进行投片试产,后年则进入量产阶段,成为??各大晶圆代工厂中,率先于14nm量产时程竞赛中达阵的业者。
  
  不光是GLOBALFOUNDRIES将在下一代制程技术中采用3D FinFET,台积电因应未来市场需求,亦于日前变动技术蓝图,将原本下一代14奈米制程改成较符合客户需求的16奈米制程,而此一16奈米制程也将首度导入3D FinFET电晶体制程,预计投产时间为2015年。
  
  另一方面,GLOBALFOUNDRIES在28奈米产品线的业务拓展亦大有斩获。Noonen透露,目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得许多国际IC设计大厂的订单,且28nm产能利用率正快速攀升中,现阶段月产量可达六~八万片,连同32nm在内,每月总共可提供近三十万片产量,足以满足客户的需求。
  
  尽管GLOBALFOUNDRIES在先进制程的量产脚步不断加快,但相较于台积电、三星(Samsung)、英特尔(Intel)等竞争对手纷纷入股艾司摩尔(ASML),以布局未来18寸晶圆商机,GLOBALFOUNDRIES则显得略为保守。Noonen对此指出,18寸晶圆是否符合未来半导体制造成本仍是未定之数,GLOBALFOUNDRIES会藉由寻求合作机会进行仔细评估,并且持续密切关注产业最新动态与市场需求。

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