紧咬台积电不放格罗方德后年量产14nm

发布日期：2015-02-08 浏览次数：196

　　格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）将于2014年量产14奈米（nm）方案。为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机，GLOBALFOUNDRIES将率先导入三维鳍式电晶体（3D FinFET）架构于14nm制程产品中，预计明年客户即可开始投片，后年则可望大量生产。
　　
　　GLOBALFOUNDRIES全球行销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示，随着行动装置功能日益丰富，消费者对于电池使用寿命的要求亦日趋严苛，促使半导体制程技术须持续向上精进，以利优化系统单晶片（SoC）的效能。为实现此一愿景，在新一代14nm制程技术中采用3D FinFET架构，可将电流泄漏减到最低，延长电池使用寿命。
　　
　　Noonen进一步指出，相较于现今2D平面式电晶体，3D FinFET藉由将导电通路设计于两侧，形成可控制电流流动的闸极环绕的3D鳍状架构，可为行动装置提升40～60%电池使用寿命，再加上14nm制程技术的助力，即可轻松解决行动装置电池电力消耗过快的棘手挑战。
　　
　　有鉴于此，GLOBALFOUNDRIES下一代制程技术--14nm-XM即采用3D FinFET架构，并可运用该公司即将量产的20nm-LPM制程技术的矽智财（IP），让想利用FinFET SoC优势的IC设计商能以最快的速度从20nm无缝转移至14nm。
　　
　　据了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快马加鞭展开14nm-XM技术研发工作，除开始提供制程设计套件（PDK）外，矽晶片也已在纽约萨拉托加郡的晶圆八厂进行测试中，明年将可进行投片试产，后年则进入量产阶段，成为??各大晶圆代工厂中，率先于14nm量产时程竞赛中达阵的业者。
　　
　　不光是GLOBALFOUNDRIES将在下一代制程技术中采用3D FinFET，台积电因应未来市场需求，亦于日前变动技术蓝图，将原本下一代14奈米制程改成较符合客户需求的16奈米制程，而此一16奈米制程也将首度导入3D FinFET电晶体制程，预计投产时间为2015年。
　　
　　另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米产品线的业务拓展亦大有斩获。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得许多国际IC设计大厂的订单，且28nm产能利用率正快速攀升中，现阶段月产量可达六～八万片，连同32nm在内，每月总共可提供近三十万片产量，足以满足客户的需求。
　　
　　尽管GLOBALFOUNDRIES在先进制程的量产脚步不断加快，但相较于台积电、三星（Samsung）、英特尔（Intel）等竞争对手纷纷入股艾司摩尔（ASML），以布局未来18寸晶圆商机，GLOBALFOUNDRIES则显得略为保守。Noonen对此指出，18寸晶圆是否符合未来半导体制造成本仍是未定之数，GLOBALFOUNDRIES会藉由寻求合作机会进行仔细评估，并且持续密切关注产业最新动态与市场需求。